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低侧栅极驱动器设计 第2部分,电路选择 免费猫

发布时间:2020-02-17 13:31:54 阅读: 来源:不锈钢反应釜厂家

低侧栅极驱动器设计 - 第2部分,电路选择

当峰值栅极电流已知并且确定了栅极驱动器的总功耗后,设计人员即可选择器件与设计匹配。然后会考虑一些因素,如栅极驱动器输出源电阻、输入控制拓扑和输入逻辑电平,以匹配设计实施。然后可快速参考飞兆选型指南以选择合适的器件。可在以下网址找到:

http://www.fairchildsemi.com/Assets/zSystem/documents/collateral/productOverview/High-Speed-Low-Side-Gate-Drivers-Product-Overview.pdf

可进行迭代建模,以调整有Rg串联的栅极驱动器的大致输出电阻。

布局思路

在实际布局中应注意导通和关断阶段的电流路径,包括MOSFET的电流路径。基本原理相当简单:

1) 栅极驱动器应放置在MOSFET附近。使用双通道器件时,这可能具有挑战性。

2) 集成栅极驱动器的Vdd引脚上的旁路电容为开通瞬间提供电流。这需要旁路电容靠近栅极驱动器并足以吸收导通时的电流尖峰。这些通常是具有低串联电阻的陶瓷电容。

3) Rg、Rgs、Doff和Rgoff需要紧密放置在MOSFET的附近。在驱动并联MOSFET的应用中,需要特别注意这一点。

4) 关断阶段将释放栅极和源极之间的电荷。通过栅极驱动器GND引脚的电流环路在回到源极终端需要从源极引脚单独提供电流路径,不能与源极端的大电流共路径。

5) 由于此紧密环路中有电流尖峰,布局时其他信号应远离栅极驱动器电路以避免受到耦合干扰。

6) 当开关频率很高并且辐射噪音需要注意时,栅极驱动器IN引脚的串联输入电阻能提供一定作用。

HVIC栅极驱动器对布局和元件值有相似要求。AN-6076,供高电压栅极驱动器IC使用的自举电路的设计和使用准则是可做为应用低侧栅极驱动器的良好参考。对于箝位感性负载,请参阅飞兆AN-6069,低端门极驱动器的应用和比较评价。

如果在电源开关电路、电机驱动和基本负载控制等应用中使用飞兆低压栅极驱动器、HVIC和MOSFET时有任何疑问,请联系当地飞兆代表。

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